shallow trench isolation半導體
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體...
半導體製程學習筆記
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2023年7月5日—1.STI.SideshareEnglishversion;ShallowTrenchIsolation;其shallow是相對LOCOS來說;為元件(nFET/pFET)之間絕緣結構;步驟.(1)前置處理:由下到 ...
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